TEPAT tanggal 1 Februari lalu, Intel dan Micron Technology memperlihatkan sebuah teknologi flash memory NAND berkecepatan tinggi.Menurut mereka flash tersebut menawarkan kecepatan transfer data lima kali lipat lebih cepat dibandingkan teknologi NAND biasa. Teknologi ini dikembangkan oleh IM Flash Technologies, sebuah usaha gabungan Micron dan Intel.
Diberi nama sederhana yaitu high speed NAND, teknologi single level cell memory 8GB ini tengah diuji oleh para OEM dan produsen kontroller.
Menurut Bill Lauer, Direktur Senior Marketing Divisi Memori Micron, mereka sudah akan memulai produksi massal high speed NAND di musim panas tahun ini. Teknologi ini akan memungkinkan kecepatan unduh maupun akses data yang lebih cepat untuk semua sistem perangkat keras, aplikasi maupun alat video dan portabel.
Lauuer menambahkan bahwa Micron berencana untuk mengintegrasikan memori kecepatan tinggi ini ke dalam famili produk RealSSD mereka yang didebutkan di bulan November 2007.
Ia mengatakan bahwa teknologi high speed NAND juga dapat mempercepat hybrid hard drive yang mengkombinasikan hard disk (HD) tradisional yang menggunakan piringan putar dengan memori flash menjadi empat kali lipat lebih cepat dari HD tradisional.
Intel masih belum berkomentar tentang produk maupun rencana pengembangan berikutnya untuk teknologi high speed NAND.
Menurut Micron, high speed NAND baru ini memiliki kecepatan baca hingga 200 MB/detik dan 100 MB/detik untuk menulis data dengan standar Open NAND Flash Interface 2.0 dan arsitektur yang menggunakan frekuensi lebih cepat.
Sebagai pembanding, Lauer mengatakan bahwa NAND tradisional terbatas dengan kecepatan baca maksimum 40 MB/detik dan 20 MB/detik untuk menulis data.
“Produsen NAND hari ini terus mendorong kapasitas penyimpanan. Kapasitas mereka memang sangat besar, akan tetapi dari perspektif pemakai, kami merasa bahwa kecepatan adalan sebuah area yang memiliki keuntungan paling banyak dari arsitektur yang lebih baik,” jelas Lauer.
Micron berencana untuk menggunakan high speed NAND untuk meningkatkan kecepatan interface standar seperti PCI Express dan USB 3.0 yang masih dalam tahap pengembangan.
Micron juga mengatakan bahwa mereka akan membuat versi multilevel cell untuk teknologi high speed NAND ini tahun depan. (Fajar)
